Descrição
Este documento descreve o Módulo de Memória RAM DDR4 32GB PC4-2666Mhz PC Portátil, (KVR26S19D8/32)
A partir do momento que a memória DDR3 atingiu seus limites no mundo da tecnologia, em constante mudança, onde se exige maior desempenho e maior largura de banda, surgiu uma nova geração de memórias SDRAM DDR no horizonte: a DDR4.
Previsto no final de 2014, o DDR4 promete oferecer três coisas: maior desempenho, maiores capacidades de DIMM e menor consumo de energia.
Alcançando mais de 2Gbps por pin e consumindo menos energia do que DDR3L (que é de baixa potência), a DDR4 oferece até 50% de aumento de desempenho e capacidade de largura de banda, diminuindo a tensão e a eficiência de energia de todo o ambiente de computação. Isso representa uma melhoria significativa em relação às tecnologias de memória anteriores e uma economia de energia de até 40%.
Além do desempenho otimizado e da computação mais ecológica e de baixo custo, o DDR4 também oferece verificações de redundância cíclica (CRC) para confiabilidade de dados aprimorada, detecção de paridade no chip para verificação de integridade de ‘comando e endereço’ transferidos por um link, integridade de sinal aprimorada e outros recursos robustos do RAS.
Módulo de Memória RAM DDR4 32GB PC4-2666Mhz PC Portátil, (KVR26S19D8/32)
- Fonte de alimentação: VDD = 1.2V típico
- VDDQ = 1.2V típico
- VPP = 2.5V típico
- VDDSPD = 2.2V a 3.6V
- Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para sinais de dados, estroboscópio e máscara
- Atualização automática de baixa potência (LPASR)
- Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
- Geração e calibração VREFDQ na matriz
- Classificação dupla
- EEPROM de detecção de presença serial (SPD) I2 integrada
- 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada
- Corte de rajada fixo (BC) de 4 e comprimento de rajada (BL) de 8 através do conjunto de registros de modo (MRS)
- BC4 ou BL8 selecionável on-the-fly (OTF)
- Topologia de passagem
- Comando de controle terminado e barramento de endereço
- PCB: Altura 1,18 pol. (30,00 mm)
- Compatível com RoHS e sem halogênio
- CL(IDD)...............19 cycles
- Row Cycle Time (tRCmin)............45.75ns (min)
- Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFCmin)..........350ns (min)
- Row Active Time (tRASmin) UL Rating...........32ns (min) 94V - 0
- Operating Temperature............0o C to +85o C
- Storage Temperature.............-55o C to +100o C
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